Basics of VLSI Design

Opis Basics of VLSI Design

Aplikacja jest kompletnym bezpłatnym podręcznikiem VLSI z diagramami i wykresami. Jest częścią elektroniki i edukacji inżynierskiej, która przynosi ważne tematy, notatki, wiadomości i blog na ten temat. Pobierz aplikację jako szybki przewodnik i ebook na tej elektroniki i komunikacji inżynierii.
Aplikacja obejmuje szczegółowo więcej niż 90 tematów projektu VLSI. Tematy te są podzielone na 5 jednostek.
Możesz bardzo łatwo przejść i odnieść sukces w egzaminach lub wywiadach, aplikacja zapewnia szybką wersję i odniesienie do tematów jak szczegółowa karta flash.
Każdy temat jest kompletny z diagramami, równanami i innymi formami przedstawicielstwami graficznymi dla łatwego zrozumienia. Niektóre z tematów objętych niniejszą aplikacją są:
1. Półprzewodniki wspomnienia: Wprowadzenie i typy
2. Przeczytaj tylko pamięć (ROM)
3. Trzy komórki DRAM tranzystora
4. Jedna komórka DRAM tranzystora
5. Pamięć flash
6. Obwody logiki o niskiej mocy CMOS: Wprowadzenie
7. Projektowanie falowników CMOS
8. Falowniki MOS: Wprowadzenie do charakterystyki przełączania
9. Techniki oparte na skanowaniu
10. Techniki wbudowane wbudowane (Bist)
11. Historyczny perspektywa projektu VLSI: Prawo Moore'a
12. Klasyfikacja typów cyfrowych CMOS
13. Przykład projektu obwodu
14. Metodologie projektowe VLSI
15. VLSI Flow Flow
16. Projektowanie hierarchii
17. Koncepcja regularności, modułowości i miejscowości
18. CMOS Fabrication
19. Przepływ procesu wytwarzania: podstawowe kroki
20. Wykonanie tranzystora NMOS
21. CMOS Fabrication: Proces p-Cóżowy
22. CMOS Fabrication: proces N-Cóżowy
23. Fabrykacja CMOS: proces twin Tuby
24. Diagramy i design układu maski
25. MOS tranzystor: struktura fizyczna
26. System MOS pod zewnętrznym basem
27. Struktura i działanie MOSFET
28. Napięcie progowe
29. Aktualne charakterystyki napięcia MOSFET
30. Skalowanie MOSFET
31. Efekty skalowania
32. Małe efekty geometrii
33. Kondensacje MOS
34. Falownik MOS 35. Charakterystyka transferu napięcia (VTC) falownika MOS
36. Falowniki z ładunkiem N-typ MOSFET
37. Rezystancyjny falownik 38. Projekt wyczerpania falowników 39. CMOS Falownik
40. Definicje czasu opóźnienia
41. Obliczanie czasów opóźnienia
42. Projektowanie inwertera z ograniczeniem opóźnienia: przykład
43. Kombinacyjne obwody Logic MOS: Wprowadzenie
44. Obwody Logic MOS z wyczerpaniem ładunków NMO: Dwukostępne Norase
45. Obwody Logic MOS z wyczerpaniem NMO obciążenia: Uogólnione ani struktura z wieloma wejściami
46. Obwody logiczne MOS z wyczerpaniem obciążeń NMO: Przejściowa analiza ani bramy
47. Obwody logiczne MOS z wyczerpaniem ładunków NMO: Dwukostępna brama NAND
48. Obwody Logic MOS z wyczerpaniem NMO ładunki: Uogólniona struktura NAND z wieloma wejściami
49. Obwody Logic MOS z wyczerpaniem ładunków NMO: Przejściowa analiza bramy NAND
50. CMOS obwody logiczne: NOR2 (dwa wejście ani) bramy
51. CMOS NAND2 (dwa wejście NAND) brama
52. Układ prostych bram logiki CMOS
53. Kompleks obwody logiczne
54. Kompleksowe bramy logiki CMOS
55. Układ kompleksowych bram logiki CMOS
56. AOI i Oai bramy
57. Pseudo-Nmos Gates
58. CMOS Full-Adder Circuit & Carry Ripple Adder
59. Bramy transmisji CMOS (bramy pass)
60. Komplementarna logika tranzystora (CPL)
61. Sekwencyjne obwody Logic MOS: Wprowadzenie
62. Zachowanie elementów bistowalnych
63. Obwód zatrzaskowy SR
64. COLTERED SR zatrzask
65. COLTED JK Zatrzask
66. Master-Slave Flip-Flop
67. CMOS D-LATCH i wyzwalana krawędź flip-flop
68. Dynamiczne obwody logiczne: Wprowadzenie
69. Podstawowe zasady obwodów tranzystorów Pass
Wszystkie tematy nie są wymienione z powodu ograniczeń znaków ustawionych przez Sklep Play.