Basics of VLSI Design

Die Beschreibung von Basics of VLSI Design

Die App ist ein komplettes kostenloses Handbuch von VLSI mit Diagrammen und Diagrammen. Es ist Teil der Electronics & Communications Engineering Education, die wichtige Themen, Notizen, News & Blog zum Thema bringt. Laden Sie die App als Kurzanleitung und eBook für dieses Elektronik- und Kommunikationstechnik herunter.
Die App umfasst mehr als 90 Themen von VLSI-Design im Detail. Diese Themen sind in 5 Einheiten unterteilt.
Sie können in Ihren Prüfungen oder Interviews sehr leicht bestehen und erfolgreich sein, die App bietet schnelle Überarbeitung und Verweis auf die Themen wie eine detaillierte Flash-Karte.
Jedes Thema ist vollständig mit Diagrammen, Gleichungen und anderen Formen grafischer Darstellungen zum einfachen Verständnis. Einige der in dieser Anwendung enthaltenen Themen sind:
1. Halbleiter-Erinnerungen: Einführung und Typen
2. Lese nur Speicher (ROM)
3. Drei Transistor-DRAM-Zelle und 4. Eine Transistor-DRAM-Zelle
5. Flash-Speicher
6. Low-Power-CMOS-Logikschaltungen: Einführung
7. Design von CMOS-Wechselrichtern
8. MOS-Wechselrichter: Einführung in das Wechsel von Merkmalen
9. Scan-basierte Techniken
10. Eingebauter Selbsttest (BIST) Techniken
11. Historische Aussicht auf das VLSI-Design: Moore's Law
12. Klassifizierung von CMOS Digital Circuit-Typen
13. Ein Beispiel für Schaltungsdesign
14. VLSI Design-Methodiken
15. VLSI Design Flow
16. Designhierarchie
17. Konzept der Regelmäßigkeit, Modularität und Ortsamkeit und Lokalität - 18. CMOS-Fabrikation
19. Fabrikationsprozessfluss: Grundlegende Schritte
20. Fabrikation des NMOS-Transistors
21. CMOS-Fabrikation: P-Well-Prozess
22. CMOS-Fabrikation: N-Well-Prozess
23. CMOS-Fabrikation: Twin-Wanne-Prozess
24. Stick-Diagramme und Mask-Layoutdesign
25. MOS-Transistor: körperliche Struktur
26. Das MOS-System unter externer BIAS
27. Struktur und Betrieb von MOSFET
28. Die Schwellenspannung
29. Aktuelle Spannungseigenschaften von MOSFET
30. MOSFET-Skalierung
31. Auswirkungen der Skalierung
32. Kleine Geometrieeffekte
33. MOS-Kapazitäten
34. MOS-Wechselrichter
35. Spannungsübertragungseigenschaften (VTC) von MOS-Wechselrichter
36. Wechselrichter mit N-Typ-MOSFET-Ladung
37. Resistive Lastwechselrichter
38. Gestaltung von Entlüftungswechselrahmen
39. CMOS-Wechselrichter
40. Verzögerungszeitdefinitionen
41. Berechnung der Verzögerungszeiten
42. Inverter-Design mit Verzögerungseinschränkungen: Beispiel
43. Combination MOS Logic Circuits: Einführung
44. MOS-Logikschaltungen mit Abbau-NMOS-Ladungen: Zwei-Eingabe-NOR-Gatter
45. MOS-Logikschaltungen mit Abbau-NMOS-Ladungen: Generalisierte oder Struktur mit mehreren Eingaben
46. MOS-Logikschaltungen mit Abbau NMOS-Ladungen: Übergangsanalyse von NOR GATE
47. MOS-Logikschaltungen mit Abbau NMOS-Ladungen: Zwei-Eingabes-NAND-Gatter
48. MOS-Logikschaltungen mit Abbau-NMOS-Ladungen: Generalisierte NAND-Struktur mit mehreren Eingaben
49. MOS-Logikschaltungen mit Abbau-NMOS-Ladungen: Übergangsanalyse des NAND-Gatters
50. CMOS-Logikschaltungen: NOR2 (zwei Eingabe- oder) Tor
51. CMOS NAND2 (zwei Eingang NAND) GATE
52. Layout von einfachen CMOS-Logikgates
53. Komplexe Logikschaltungen
54. Komplexe CMOS Logic Gates
55. Layout komplexer CMOS-Logikgates
56. AOI- und OAI-Gates
57. Pseudo-NMOS-Gates
58. CMOS-Volladdierer-Circuit & Carry-Ripple-Addierer
59. CMOS-Übertragungsgates (Pass-Gates)
60. Komplementäre Pass-Transistor-Logik (CPL)
61. Sequenzielle MOS-Logikschaltungen: Einführung
62. Verhalten von bistabilen Elementen
63. Die SR-Riegelschaltung
64. Taktarm Srlatch
65. Taktarm JK Latch
66. Master-Slave-Flip-Flop
67. CMOS D-Latch- und Rand-ausgelöste Flip-Flop
68. Dynamische Logikschaltungen: Einführung
69. Grundprinzipien der Pass-Transistor-Schaltkreise
Alle Themen sind nicht aufgelistet, da die vom Spielgeschäft festgelegten Zeichenbeschränkungen festgelegt werden.