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Basics of VLSI Design

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説明 Basics of VLSI Design

アプリはダイアグラムとグラフのVLSIの完全な無料のハンドブックです。それは主題の重要なトピック、ノート、ニュース＆ブログをもたらす電子機器＆コミュニケーション工学教育の一部です。このエレクトロニクス＆コミュニケーションエンジニアリングの主題に関するクイックリファレンスガイド＆電子ブックとしてアプリをダウンロードしてください。
アプリはVLSIデザインの90以上のトピックを詳細にカバーしています。これらのトピックは5台に分けられます。
あなたの試験やインタビューに非常に簡単に合格して成功することができます、アプリは簡単な改訂と詳細なフラッシュカードのようなトピックへの言及を提供します。
各トピックは、理解を容易にするための図、方程式、およびその他のグラフィカル表現の形式で完成しています。このアプリケーションでカバーされているトピックのいくつかは次のとおりです。
1。半導体メモリ：はじめに
2。読み取り専用メモリ（ROM）
3。 3トランジスタDRAMセル
4。 1つのトランジスタDRAMセル
5。フラッシュメモリ
6。低電力CMOS論理回路：はじめに
7。 CMOSインバータの設計
8。 MOSインバータ：スイッチング特性の紹介
9。スキャンベースのテクニック
10。内蔵セルフテスト（BIST）テクニック
11。 VLSIデザインの歴史的前向き：ムーアの法律
12。 CMOSデジタル回路タイプの分類
13。回路設計例
14。 VLSI設計方法論
15。 VLSIデザインフロー
16。デザイン階層
17。規則性、モジュール性、地域
18。 CMOS製造
19。製造プロセスフロー：基本ステップ
20。 NMOSトランジスタの製作
21。 CMOS製造：Pウェルプロセス
22。 CMOS製造：Nウェルプロセス
23。 CMOS製造：ツインタブプロセス
24。スティックダイアグラムとマスクレイアウトデザイン
25。 MOSトランジスタ：物理構造
26。外部バイアス下のMOSシステム
27。 MOSFET
28の構造と動作。しきい値電圧
29。 MOSFET
30の電流電圧特性。 MOSFETスケーリング
31。スケーリングの影響
32。小さいジオメトリ効果
33。 MOSキャパシタンス
34。 MOSインバータ
35。 MOSインバータの電圧伝達特性（VTC）
36。 N型MOSFET負荷を備えたインバータ
37。抵抗負荷インバータ
38。枯渇負荷インバータの設計
39。 CMOSインバータ
40。遅延時間定義
41。遅延時間の計算
42。遅延制限によるインバータ設計：例
43。組み合わせMOS論理回路：はじめに
44。空乏NMOS負荷を有するMOS論理回路2入力NORゲート45。空乏NMOS負荷を備えたMOS論理回路：複数の入力を有する一般化されていない構造
46。空乏NMOS負荷を備えたMOS論理回路：NORゲート
47の過渡解析空乏NMOS負荷を備えたMOS論理回路：2入力NANDゲート
48。空乏NMOS負荷を備えたMOS論理回路：複数入力を有する一般化NAND構造
49。空乏NMOS負荷を備えたMOS論理回路NANDゲート
50の過渡解析CMOS論理回路：NOR2（2入力NOR）ゲート51。 CMOS NAND2（2入力NAND）ゲート52。単純なCMOS論理ゲートのレイアウト
53。複素論理回路
54。複素CMOS論理ゲート
55。複素CMOS論理ゲートのレイアウト
56。 AOIとOAI GATES
57。擬似NMOSゲート
58。 CMOS全加算回路＆キャリーリップル加算器
59。 CMOSトランスミッションゲート（パスゲート）60。相補パストランジスタロジック（CPL）61。シーケンシャルMOS論理回路：はじめに
62。双安定要素の挙動
63。 SRラッチ回路
64。クロックされたSRラッチ
65。クロックドJKラッチ
66。マスタースレーブフリップフロップ
67。 CMOS Dラッチおよびエッジトリガフリップフロップ
68。動的論理回路：はじめに
69。 PASSトランジスタ回路の基本原理
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情報

  • カテゴリー:
    教育
  • 最終のバージョン:
    7
  • 更新日:
    2021-03-24
  • サイズ:
    6.5MB
  • 動作環境:
    Android 4.1 or later
  • 開発元:
    Engineering Apps
  • ID:
    com.faadooengineers.free_vlsidesign
  • Available on:
    Get Basics of VLSI Design on Google Play

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