Basics of VLSI Design

Описание для Basics of VLSI Design

Приложение является полным бесплатным справочником VLSI с диаграммами и графиками. Это часть электроники и коммуникационного инженерного образования, которое приносит важные темы, заметки, новости и блог на эту тему. Загрузите приложение в качестве краткого справочного руководства и электронная книга на эту электронику и коммуникационную техника.
Приложение охватывает более 90 тем дизайна VLSI в деталях. Эти темы разделены на 5 единиц.
Вы можете очень легко пройти и преуспеть в экзаменах или интервью, приложение предоставляет быструю пересмотр и ссылку на темы, такие как подробная флэш-карта.
Каждая тема в комплекте с диаграммами, уравнениями и другими формами графических представлений для легкого понимания. Некоторые из тем, охватываемых в этом приложении:
1. Полупроводниковые воспоминания: введение и типы
2. Читать только память (ROM)
3. Три транзисторной ячейки DRAM
4. Один транзистор DRAM Cell
5. Флэш-память
6. LOW - Power CMOS логические цепи: введение
7. Дизайн инверторов CMOS
8. MOS Enterversers: введение в коммутационные характеристики
9. Техника на основе сканирования
10. Встроенные самостоятельные (Bist) методы
11. Исторический проспект VLSI Design: Закон Мура
12. Классификация типов цифровых цепей CMOS
13. Пример дизайна схемы
14. Методологии дизайна VLSI
15. VLSI Design Flow
16. Дизайн иерархии
17. Концепция регулярности, модульности и местности
18. CMOS изготовления
19. Процесс изготовления потока: основные шаги
20. Изготовление транзистора NMOS
21. Изготовление CMOS: P-скважина обрабатывается
22. Изготовление CMOS: N-скважинный процесс
23. Изготовление CMOS: двухканальная ванна
24. Симграммы приковы и маскируют дизайн макета
25. MOS транзистор: физическая структура
26. Система MOS под внешним предвзятостью
27. Структура и работа MOSFET
28. Пороговое напряжение
29. Нынешние характеристики напряжения MOSFET
30. Mosfet Charing
31. Эффекты масштабирования
32. Небольшие геометрические эффекты
33. Мос емкости
34. MOS Inverter
35. Характеристики передачи напряжения (VTC) инвертора MOS
36. Инверторы с N-типом MOSFET Load
37. Резистивный инвертор нагрузки
38. Дизайн инверторов истощения-нагрузки
39. CMOS Inverter
40. Определения времени задержки
41. Расчет времени задержки
42. Дизайн инвертора с задержкой ограничения: пример
43. Комбиниторированные MOS логические цепи: введение
44. MOS логические цепи с истощением NMOS нагрузки: два ввода ни ворота
45. Мос Логические цепи с истощением NMOS Нагрузки: обобщенные ни структура с несколькими входами
46. MOS Logic Circuits с истощением NMOS Грузы: переходный анализ ни ворот
47. MOS Logic Circuits с истощением NMOS Грузы: Двух входные NAND Gate
48. MOS Logic Circuits с загрузками истощения NMOS: Обобщенная структура NAND с несколькими входами
49. MOS Logic Circuits с истощением NMOS Грузы: Переходный анализ NAND Gate
50. CMOS логические цепи: NOR2 (два ввода ни) ворота
51. CMOS NAND2 (два входных нанда) ворота
52. Макет простых логических ворот CMOS
53. Комплексные логические цепи
54. Комплекс CMOS логические ворота
55. Расположение сложных логических ворот CMOS
56. AOI и Oai Gates
57. Pseudo-Nmos Gates
58. CMOS Pull-stradder Communce & Carry Plipple Adder
59. CMOS Transmission Gates (Pass Gates)
60. Дополнительная логическая логика Pass-транзистор (CPL)
61. Последовательные MOS логические цепи: введение
62. Поведение бистабильных элементов
63. Схема SR защелки
64. Sconed SR защелки
65. Часовая JK Latch
66. Master-Plave Flip-Flop
67. CMOS D-Latch и Enge-rev-Flop
68. Динамические логические цепи: введение
69. Основные принципы прохождения транзисторных цепей
Все темы не указаны из-за ограничений характера, установленных игровым магазином.